三星集團日前宣佈將投資8.5萬億韓元(69.8億美元)擴充現有10nm工藝產能， 並為明年的7nm準備基礎建設。 其中2.5萬億韓元將投向位於Hwasung-si的17 Line工廠， 預計今年二季度早些時候將額外增加1.8萬片晶圓/月的10nm產能——現在10nm的產能是2.5萬片晶圓/月。
去年10月三星已宣佈量產新一代10nm LPE工藝了， 使用該工藝的處理器包括高通的驍龍835以及三星自家的Exynos 8895， 但是10nm工藝的產能、良率目前依然存在問題， 導致其使用驍龍835處理器的旗艦機或延期上市。 本次投資被視為三星為解決這一問題而加大投資， 擴充產能。
目前三星生產移動處理器最先進的工藝是14nm FinFET，
FinFET稱為鰭式場效電晶體(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)電晶體。 閘長已可小於25nm。 未來預期可以進一步縮小至9nm， 約是人類頭髮寬度的萬分之一。 由於在這種導體技術上的突破， 未來晶片設計人員可望能夠將超級電腦設計成只有指甲般大小。
最早使用10nm工藝的處理器是高通驍龍835， 這款處理器也將是2017年各大手機廠商新旗艦必備的硬體設定， 但是因為10nm工藝的產能、良率問題困擾， 驍龍835以及三星自家的Exynos 8895量產時間都比前代晶片晚一些。 2月的MWC展會上， LG發佈的G6手機就只能使用驍龍821處理器，