Intel發佈閃騰P4800X固態盤
昨天， Intel正式發佈了Optane（閃騰） SSD DC P4800X， 用於高端資料中心， 首發容量是375GB， PCI-E 3.0 x4擴展卡樣式， 支援NVMe， 售價1520美元（約合人民幣1萬元）， 折合4美元/GB。 Intel還承諾， Q2會發佈U.2樣式的375GB容量以及PCIe擴展卡的750GB款式， 年底再推出1.5TB。
速度方面， 4KB隨機讀寫（佇列深度16）分別是550K和500K， 延遲非常非常低， 總寫入極限12.3PB。
這是Intel Optane宣佈以來首次出貨大容量盤， 雖然看起來部分資料並不突出， 但這僅僅是第一代。 而且Optane另外一大意義是將和記憶體共用相同的快閃記憶體晶片（3D Xpoint Nand）， 這樣對比的話， 4美元/GB比如今動輒10美元/GB的記憶體條可要優秀多了。
高通發佈205移動平臺
日前， 高通宣佈將對驍龍品牌定位進行調整， 以後不再將驍龍稱為“處理器”， 而改為“平臺”， 同時， 入門級200系列不再使用“驍龍”品牌， 改名為“高通移動”。
今天， 在印度新德里， 高通移動就發佈了首款產品——Qualcomm 205（MSM8905）。 這是高通3年來首次為功能機平臺更新晶片， 今後， 50美元以下的功能手機將獲得4G LTE支持。
高通移動205平臺今天開始出貨， 最早一批終端上市日期定在今年Q2季度。
AMD Ryzen發燒版曝光
AMD Ryzen處理器在桌面上最多有8核心16執行緒， 對手最高定位是Intel發燒級次旗艦、同樣8核心16執行緒的Core i7-6900K， 等於直接放過了最頂級的10核心20執行緒Core i7-6950X。 只有到了伺服器領域，
不過， 最新消息稱， AMD正在秘密研發自己的發燒級桌面平臺， 通過雙Die整合封裝的方式(俗稱膠水)， 將兩顆Ryzen 7處理器堆到一起， 從而得到16核心32核心， DDR4記憶體通道也因此翻番為4個， 並且可以擁有更充裕的PCI-E通道。
還有爆料稱，
有趣的是， 這套平臺也會有新的晶片組， 命名為X399——而Intel下代發燒平臺晶片組叫X299……
小米MIX2概念圖曝光
作為去年國產手機中最具創新性、最具代表性的手機， 小米MIX已經成為很多米粉的“精神象徵”， 同時小米MIX二代也讓不少米粉充滿期待。
日前， 有網友曝光了小米MIX二代的360度渲染動圖， 延續了上一代的硬朗設計風格， 下巴更靠下， 屏占比更加極致（接近100%）。 此外， 新機還加入了雙攝像頭， 指紋識別依然放在背部。
業內人士潘九堂之前曾表示， 小米MIX一代的後置指紋處理得很好， 毫無違和， 期待下半年二代的變化。
據此前爆料， 小米MIX第二代的屏占比預計提升到93%， 延續陶瓷機身和骨傳導音訊技術的同時， 換上AMOLED顯示幕。
Exynos 8895的三星Galaxy S8性能曝光
距離三星上半年旗艦Galaxy S8/S8 Plus的發佈不到10天的時間， 儘管今年三星加強了對新機的保密措施， 但關於Galaxy S8的資訊已經被扒得滿天飛， 不僅外觀、硬體參數洩露， 就連配套的定制AKG耳機也被評測一番。 現在，Geekbench上已經能獲取到Galaxy S8的跑分成績，目前來看，採用了自家的Exynos 8895的S8性能上似乎好于採用高通驍龍835的S8。
按照三星以往慣例，在Galaxy S8系列智慧手機將會搭載兩種版本的Soc：一個是自家的Samsung Exynos 8895，國際版手機型號為代號為SM-G955F；另一個則是高通驍龍835，國際版手機型號為代號為SM-G950U。兩個版本都將會搭載4GB記憶體，但不確定是LPDDR4X或LPDDR4。
三星Exynos 8895 Soc採用領先的10nm LPE制程工藝，由4xM2核心+4x Cortex-A53核心組成8核，GPU更是堆出了Mali-G71 MP20，整合了5x20MHz載波的LTE Cat 16基帶。
高通驍龍835處理器的採用4+4核心設計，大核心最高頻率2.45GHz，小核心1.9GHz，GPU則是Adreno 540，支持驍龍X16 LTE數據機，同樣採用三星10nm FinFET制程。
左邊三星Exynos 8895，右邊高通驍龍835
如果取兩者的跑分最好成績，只看單核的話，Exynos 8895 VS 驍龍835，1978 VS 1916，兩者差距不大。而多核成績的話，則是6375 VS 6011，兩者之間的差距擴大了。側面反映了三星Exynos 8895 Soc性能上要稍微好一些，但高通驍龍835在記憶體測試專案上有優勢。
希捷關閉韓國HDD研發中心
原本風光無限的機械硬碟，被固態硬碟逆襲後，日子越來越難過，這點從希捷接連關閉工廠就能看出來。最新消息顯示，希捷已經在上周低調的關閉了韓國京畿道省的R&D研發中心。這是希捷公司2013年才在韓國設立的研發中心，而2011年他們就宣佈收購三星硬碟了，這說明希捷在收購之後還是打算在HDD市場大幹一場的，所以才在韓國設立研發中心。
希捷韓國研發中心主要針對2.5寸硬碟，但悲劇的是2.5寸HDD硬碟是受SSD硬碟影響最大的一部分，特別是筆記本市場上，SSD適配率逐年升高，2.5寸HDD硬碟舉步維艱，市場地位還不如3.5寸硬碟，所以這個研發中心不過4年時間就被希捷優化掉了，裁員300多人。
根據希捷官方資料所說，這次行動預計會在2017財年底完成，預計會產生5000萬美元左右的稅前費用。
今年1月初，希捷關閉了蘇州的工廠，而現在又關閉韓國研發中心，隨著機械硬碟市場銷量的瘋狂下降，想必希捷日後還會做出相類似的調整。
現在，Geekbench上已經能獲取到Galaxy S8的跑分成績，目前來看，採用了自家的Exynos 8895的S8性能上似乎好于採用高通驍龍835的S8。按照三星以往慣例，在Galaxy S8系列智慧手機將會搭載兩種版本的Soc：一個是自家的Samsung Exynos 8895，國際版手機型號為代號為SM-G955F；另一個則是高通驍龍835，國際版手機型號為代號為SM-G950U。兩個版本都將會搭載4GB記憶體，但不確定是LPDDR4X或LPDDR4。
三星Exynos 8895 Soc採用領先的10nm LPE制程工藝，由4xM2核心+4x Cortex-A53核心組成8核，GPU更是堆出了Mali-G71 MP20，整合了5x20MHz載波的LTE Cat 16基帶。
高通驍龍835處理器的採用4+4核心設計，大核心最高頻率2.45GHz，小核心1.9GHz，GPU則是Adreno 540，支持驍龍X16 LTE數據機，同樣採用三星10nm FinFET制程。
左邊三星Exynos 8895，右邊高通驍龍835
如果取兩者的跑分最好成績，只看單核的話，Exynos 8895 VS 驍龍835，1978 VS 1916，兩者差距不大。而多核成績的話，則是6375 VS 6011，兩者之間的差距擴大了。側面反映了三星Exynos 8895 Soc性能上要稍微好一些，但高通驍龍835在記憶體測試專案上有優勢。
希捷關閉韓國HDD研發中心
原本風光無限的機械硬碟，被固態硬碟逆襲後，日子越來越難過，這點從希捷接連關閉工廠就能看出來。最新消息顯示，希捷已經在上周低調的關閉了韓國京畿道省的R&D研發中心。這是希捷公司2013年才在韓國設立的研發中心，而2011年他們就宣佈收購三星硬碟了，這說明希捷在收購之後還是打算在HDD市場大幹一場的，所以才在韓國設立研發中心。
希捷韓國研發中心主要針對2.5寸硬碟，但悲劇的是2.5寸HDD硬碟是受SSD硬碟影響最大的一部分，特別是筆記本市場上，SSD適配率逐年升高，2.5寸HDD硬碟舉步維艱，市場地位還不如3.5寸硬碟，所以這個研發中心不過4年時間就被希捷優化掉了，裁員300多人。
根據希捷官方資料所說，這次行動預計會在2017財年底完成，預計會產生5000萬美元左右的稅前費用。
今年1月初，希捷關閉了蘇州的工廠，而現在又關閉韓國研發中心，隨著機械硬碟市場銷量的瘋狂下降，想必希捷日後還會做出相類似的調整。