英特爾3D XPpoint“閃騰”快閃記憶體技術的登場打破了NAND市場平靜， 著實給三星帶來不小壓力， 不過三星也不會無動於衷坐視不管， 因為他們將帶來殺手鐧——三星Z-SSD系列。 在最近的Cloud Expo歐洲展會上， 三星終於帶來了Z-SSD硬碟， 搭載全新的Z-NAND快閃記憶體顆粒， 採用特殊電路和新主控， 讀取速度是PM963至少1.6倍， 幾乎榨幹GEN3 X4全部頻寬， 提供3.2G/S讀取， 而且延遲低4倍且更耐用。 三星Z-SSD系列將於Q2季度登場， 面向企業級用戶， 有800G、2TB和4TB容量可選， 未公佈價格。
規格方面， Z-SSD走PCI-E 3.0 x4頻寬， 目前展示樣品容量800GB， 承諾連續讀寫速度均可達3.2GB/s， 隨機讀寫分別可達75萬IOPS和16萬IOPS， 延遲比NVMe硬碟低70%。 除了性能， 全新的Z-NAND的耐久度更長， 再加上特殊的演算法和緩存機制， 比普通NAND高得多的耐用性， 即使是TLC（3bit per cell）也遠超目前產品， 不過官方未公佈具體細節。
三星表示：“Z-NAND可以與Intel 3D XPoint叫板， 是三星拳頭級產品”。 Z-SSD系列會使用第四代V-NAND， 採用64層堆疊V-NAND快閃記憶體， 性能比NAND快閃記憶體更強， 同時又有非易失性特點。 至於如何實現性能的躍進未提及， 當然英特爾迄今也沒有公佈過3D XPoint快閃記憶體原理， 業內的分析PCM相變快閃記憶體等說法只是猜測， 並未得到官方證實。 總之， 接下來會有一場激戰， 好不容易多年打下的市場絕對不會輕易讓出去，