GLOBALFOUNDRIES和VeriSilicon為下一代IoT網路提供單晶片解決方案

圖1、GLOBALFOUNDRIES和VeriSilicon為下一代IoT網路提供單晶片解決方案

GLOBALFOUNDRIES（https://www.globalfoundries.com/）和VeriSilicon（http://www.verisilicon.com/）合作為下一代低功率廣域（LPWA， Low Power Wide Area）網路提供首款單晶片IoT解決方案。 利用GF（GLOBALFOUNDRIES）的22FDX FD-SOI技術（https://www.globalfoundries.com/technology-solutions/cmos/fdx/22fdx）， 這兩家公司公司計畫開發可以在單個晶片上實現完整的蜂窩數據機功能的模組，

包括集成基帶， 電源管理， RF無線電和前端模組， 並且支援窄帶IoT（NB-IoT ）和LTE-M功能的IP（intellectual property）。 與目前的產品相比， 新設計預計將在功率， 面積和成本方面實現顯著的改善。

圖2、FD-SOI

隨著智慧城市， 家庭和工業應用的連接設備的普及， 網路供應商正在開發新的通信協議， 以更好地滿足新興的物聯網標準的需求。 LPWA技術利用現有的LTE頻譜資源和移動基礎設施， 但重點是為傳輸少量不常見資料的設備（如連接的水錶， 天然氣表以及電錶）提供超低功耗， 擴展覆蓋範圍和低得多的資料速率的連接。

圖3、22FDX FD-SOI技術致力的應用領域

兩個領先的蜂窩LPWA連接標準是LTE-M和NB-IoT， 預計LTE-M將在美國市場上佔有一席之地， 而NB-IoT在歐洲和亞洲的應用正在增長。 例如， 中國政府明年將針對NB-IoT進行全國性的部署。 根據ABI Research的資料， 這兩種技術的結合預計到2021年將蜂窩M2M模組的出貨量擴大到到近5億。

圖4、各種工藝節點支援的頻率和功率

GF和VeriSilicon正在開發一套IP， 使客戶能夠基於具有集成RF前端模組和支援LTE-M和NB-IoT雙模式運營商級基帶數據機進行產品設計， 為物聯網（IoT）的全球部署創建成本和功耗優化的解決方案。 該設計將使用GF的22FDX工藝製造， 該工藝利用22 nm的FD-SOI技術平臺， 為IoT應用提供經濟高效的縮放以及降低功耗。 22FDX是唯一能夠實現RF， 收發信機，

基帶， 處理器和電源管理元件的高效單晶片集成技術。 與目前的40nm技術相比， 這種單晶片集成解決方案預計將實現功耗和裸片尺寸降低80％以上。

圖5、22FDX FD-SOI面向應用的平臺能力

GF和VeriSilicon預計將在2017年第四季度通過矽晶片驗證的基礎上推出基於這種集成解決方案的測試晶片。

這兩家公司計畫在2018年中期推行經過運營商認證的單晶片產品。

（完）