圖1、三星8納米LPP制程完成研發
三星準備批量生產8nm FinFET晶片三星今天表示, 已經準備好開始使用8nm FinFET Low Power Plus(8納米FinFET低功率+, 8納米LPP)工藝制程來批量生產晶片。
圖2、FinFET晶片工藝示意圖
與10納米低功耗晶片相比, 8nm LPP制程晶片佔用器件的面積減少了10%, 同時耗電量減少了10%, 從而節省了電池的使用壽命。 三星公司考慮高通公司作為其客戶, 該公司的高級副總裁RK Chunduru表示, 由於採用了已經被證明的10nm技術進行生產, 8nm LPP將迅速開始上線應用。 雖然10nm工藝製成可能容易製造, 但8nm LPP晶片的性能優於使用10nm工藝製造的元件。 據預測, 2017底前將採用8納米LPP工藝制程來量產高通(Qualcomm)Snapdragon 845處理器。
圖3、以7nm 工藝 VS 14 nm工藝為例說明新工藝技術的性能影響
三星將在今天在慕尼克舉行的三星Foundry論壇歐洲活動中發佈一份工藝路線圖, 揭示8nm LPP和7nm EUV晶片的可用性。 7nm旁邊的EUV代表了三星使用的極端紫外光刻技術。 該技術創建了一個微處理器晶片上的積體電路設計。 原本預計在2018年第一季度之前不會生產8nm LPP晶片, 但是三星的8nm LPP晶片將很快發貨。 而隨著今年下半年裝配線的快速提升, GlobalFoundries將在2018年上半年推出使用7nm工藝生產的晶片, 而直到2019年這些晶片才會在移動設備中出現。
圖4、晶片工藝的生態系統
“憑藉提前三個月完成測試認證,
(完)