英特爾承認在攻克10nm工藝上遇到了一些難題

在最近的電話財報會議期間，英特爾 CEO 布萊恩·科再奇終於承認了被業內長期關注的一個事實 —— 該公司掙扎於量產 10nm 晶片的製造工藝。此前有分析師指出，與 14nm 工藝相比，英特爾將制程規模縮小 2.7 倍的目標“略有些激進”。

科再奇承認，公司已認識到這一點，並在努力提升良率。遺憾的是，這需要大量的時間去攻克。

即便如此，科再奇還是簡稱即日起出貨 10 納米產品（但不知道到底出貨給誰），但 2019 年前都不會轉向量產。（他也不願向分析師證實，

今年上半年或下半年是否可以量產）

有鑑於此，我們可能需要等待 6~18 個月，才能見到 10 nm 量產晶片的到來。畢竟自 2015 年以來，10nm 制程就一直在跳票，這一視窗肯定會令製造合作夥伴和投資者深感不安。

不過 Krzanich 明確表示，10nm 制程的問題，是該公司對其下一代工藝技術的實施選擇。

在先進光刻技術中，英特爾的 10nm 制程非同尋常。因為該公司決定完全放棄極紫外光刻（EUV），轉而採用傳統的 193nm 深紫外光源。

作為 10nm 生產的一部分，英特爾曾表示會採用自對準四模式。

令人驚訝的是，科再奇指出該公司必須使用多達 5~6 個多模式的步驟去打造特定的 10nm 特性，這或許是該公司正在經歷的產能問題的一個主要因素。

正如今年早些時候格羅方德所說的那樣，

矽晶片與光刻工具的每一次交互，都增加了缺陷的可能性，而多模式需要與這些工具進行大量的交互。

格羅方德指出，相比之下，EUV 不僅能夠更有效地利用產能，還能夠減少設備需要與晶圓片交互的次數。

儘管 EUV 自身也面臨著一些挑戰，但在 7nm 之前，英特爾不會享受到任何潛在的優勢。科再奇告訴分析師，該公司計畫繼續保持 10nm 制程，以便積累有效製造 7nm 晶片所需的知識。

此外，

定於 2018 年推出的 10nm 晶片仍然屬於第一代產品，而不是最終能夠超越當前 14nm 制程的 10nm+ 電晶體。

[編譯自：TechReport]