在最近的電話財報會議期間， 英特爾 CEO 布萊恩·科再奇終於承認了被業內長期關注的一個事實 —— 該公司掙扎於量產 10nm 晶片的製造工藝。 此前有分析師指出， 與 14nm 工藝相比， 英特爾將制程規模縮小 2.7 倍的目標“略有些激進”。 科再奇承認， 公司已認識到這一點， 並在努力提升良率。 遺憾的是， 這需要大量的時間去攻克。
即便如此， 科再奇還是簡稱即日起出貨 10 納米產品（但不知道到底出貨給誰）， 但 2019 年前都不會轉向量產。 （他也不願向分析師證實， 今年上半年或下半年是否可以量產）
有鑑於此， 我們可能需要等待 6~18 個月， 才能見到 10 nm 量產晶片的到來。 畢竟自 2015 年以來， 10nm 制程就一直在跳票， 這一視窗肯定會令製造合作夥伴和投資者深感不安。
不過 Krzanich 明確表示， 10nm 制程的問題， 是該公司對其下一代工藝技術的實施選擇。
在先進光刻技術中， 英特爾的 10nm 制程非同尋常。 因為該公司決定完全放棄極紫外光刻（EUV），
作為 10nm 生產的一部分， 英特爾曾表示會採用自對準四模式。
令人驚訝的是， 科再奇指出該公司必須使用多達 5~6 個多模式的步驟去打造特定的 10nm 特性， 這或許是該公司正在經歷的產能問題的一個主要因素。
正如今年早些時候格羅方德所說的那樣， 矽晶片與光刻工具的每一次交互， 都增加了缺陷的可能性， 而多模式需要與這些工具進行大量的交互。
格羅方德指出， 相比之下， EUV 不僅能夠更有效地利用產能， 還能夠減少設備需要與晶圓片交互的次數。
儘管 EUV 自身也面臨著一些挑戰， 但在 7nm 之前， 英特爾不會享受到任何潛在的優勢。 科再奇告訴分析師， 該公司計畫繼續保持 10nm 制程， 以便積累有效製造 7nm 晶片所需的知識。
此外， 定於 2018 年推出的 10nm 晶片仍然屬於第一代產品， 而不是最終能夠超越當前 14nm 制程的 10nm+ 電晶體。
[編譯自：TechReport]