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英特爾承諾10納米領先一切對手 性能升25%功耗降45%

英特爾此前已經談論過多次 10 納米的 Cannon Lake 晶片了, 每一次對於發佈時間都有一種新的說法。 今年年初的時候曾表示, 公司對 10 納米很有信心,

不出意外 Cannon Lake 會出現在今年的 2 合 1 設備上。 最近英特爾又發話了, 聲稱 Cannon Lake 將是公司的黃金產品, 工藝制程上遠勝於激進的三星和台積電。

按照英特爾的說法, Cannon Lake 是超濃縮的產品, 電晶體數量可以是上一代的兩倍, 而在這一優勢下, 將有助於 CPU 性能提升 25% 左右, 並且功耗降低至少 45%。 英特爾稱, 年底上市的 10 納米晶片在 1 平方毫米內可以塞進 1 億個電晶體, 鰭片間距做到34nm, 最小金屬間距則做到 36nm。

很顯然, 英特爾將摩爾定律的希望寄託到了 Cannon Lake 身上, 畢竟按照該定律, 積體電路的電晶體數量大約每兩年增加一倍。 雖然摩爾定律在大多數分析看來已經死亡, 而且英特爾也將晶片真正更新換代的週期調整到了 36 個月, 但現在英特爾依然對該定律的前景看好。

“英特爾將延續摩爾定律。 ” 這是英特爾在近日 Technology and Manufacturing Day 活動上通過 PPT 所表達的態度, 不過沒有強調定律的內容, 而是更多的談及了經濟學, 聲稱保持在合理價格範圍內, 自己可以提供越來越強大的晶片。

英特爾還確認, 接下來 10 納米晶片也會分為三步走, 分別是 10 納米、10 納米+ 和 10 納米++, 走完這三步才會進入到 7 納米工藝制程。 其中 10 納米 + 工藝相比 10 納米 CPU 性能再次提升 15%, 且功耗再降低 30% 左右。

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