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資料中心需求熱,帶動第三季度Server DRAM營收成長約25.2%

根據集邦諮詢旗下半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示, 在北美資料中心的需求持續強勁, 以及DRAM供給端產能與制程受限制下, 並不能滿足整體伺服器記憶體市場需求, Server DRAM供不應求的情形在第三季度更為顯著。

受到平均零售價(Average Selling Price)墊高帶動, 三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。

DRAMeXchange分析師劉家豪指出, 進入第四季, 在伺服器出貨動能不減的情況下, 整體Server DRAM供不應求的狀況將更為明顯, Server DRAM第四季合約價將持續上漲6%至10%, 可望帶動廠商營收與利潤率表現再創新高。

三星(Samsung)

以目前市場規模來看, 三星受惠於整體DRAM市場佔有率與制程技術領先, 在市場上Server DRAM表現格外亮眼。

值得一提的是, 三星在高容量模組與佈局也相對積極, 第三季度整體Server DRAM營收來到25.49億美元, 季增28.4%, 占整體市場約45.9%。

展望第四季度, 來自於伺服器的需求將達到今年的頂峰, 高容量的模組需求也隨著新平臺導入進而攀升至年度高點,

Server DRAM仍然供不應求。

然而, 三星現階段仍然會持續針對各家OEM/ODM調整供貨達成率, 以達成滿足主要客戶需求與提高獲利水位的目標。

制程方面, 三星今年Server DRAM仍以20nm產出為主, 18nm比重在第四季度將會提升至40%, 預期至2018年第一季底將逾五成, 逐漸成為主流產品。

在高容量晶片的規劃上, 三星將會在其18nm導入16Gb mono die的設計, 目前已送樣品至英特爾測試, 預計在2018度第二季度導入生產線, 預期將大幅改善Server DRAM的成本結構, 並有利於高容量模組佈局。

SK海力士(SK Hynix)

受惠於北美資料中心備貨需求帶動, SK海力士第三季營收較第二季大幅成長30.1%至17.92億美元, 營業利益率也較第二季改善許多。 若從制程進展來看, SK海力士Server DRAM仍以21nm為主, 而18nm Server DRAM將會在2018年第一季底小量生產,

預計在第二季度後產能逐步釋放, 且隨著ODM認證進度與良率改善下, 18nm產量比重將會進一步提高。

從產能規劃來看, SK海力士將會逐漸提高M14 Phase 1的產能以及無錫廠18nm制程轉換, 其中Server DRAM將占其DRAM產品比重逾三成, 部分產能將會隨著市場需求而略為調整, 以維持獲利水準。

面對伺服器訂單的熱絡, 除了產品線調整外, SK海力士也會提高高容量模組如32G與64G的出貨占比, 預期明年高容量模組的出貨將會提升至六成水位。

美光(Micron)

受到價格持續上漲以及制程微縮所帶來的成本效益, 美光第三季度Server DRAM位出貨量較前一季度成長, 平均銷售單價也有局部的躍升, 激勵Server DRAM產品營收成長達13%來到12.07億美元。

從產品面來分析, 美光在Server DRAM的比重仍然維持在近三成水位,

現階段獲利的持續增長完全有賴於記憶體平均銷售單價的提升。

展望明年, 美光將會隨著其17nm進展與改善而進行增產;截至目前, 其良率已有進一步提升且已送樣, 但在Server DRAM產品線的規劃上, 仍將會視明年第二季後, 良率是否能達到經濟規模下才會增加投片, 現階段仍然以既有的20nm為主要產品。

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