全球知名半導體製造商ROHM新開發出兼備業界頂級低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速開關版）”， 共21種機型。 這些產品非常適用於UPS（不斷電供應系統）、焊接機及功率控制板工業設備、空調、IH（感應加熱）等消費電子產品的通用變頻器及轉換器的功率轉換。
此次開發的新系列產品採用薄晶圓技術及ROHM獨有結構， 在具有權衡關係的低導通損耗和高速開關特性方面， 獲得了業界頂級的性能。 例如， 在交錯式PFC電路中使用時， 與以往產品相比， 輕負載時效率提升1.2％， 重負載時效率提升0.3％， 有助於進一步降低應用的功耗。 另外通過元器件內部的優化， 實現了順暢的軟開關。 與同等效率的普通產品相比， 成功減少50%電壓過沖※4， 從而減少以往需要用來對策的部件數量， 可顯著減輕設計負擔。
本系列產品已於2017年10月開始出售樣品（樣品價格400日元～/個：不含稅），
＜背景＞
近年來， 隨著IoT進程帶來的資料量増加， 對資料中心高性能化的要求越來越高。 不僅伺服器本身， 包括進行主體電源穩定供給所不可欠缺的UPS等在內， 系統整體的功耗量顯著增加， 進一步降低功耗已成為重要課題。
另外， 在使用IGBT的大功率應用中， 為確保設備的可靠性， 必須對可引發元器件故障或設備誤動作的開關時的過沖採取措施， 簡化需求日益迫切。
＜特點＞
實現業界頂級的低傳導損耗和高速開關性能
在本新系列產品中， 利用薄晶圓技術使晶圓厚度比以往產品再薄15％，
實現軟開關， 減輕設備的設計負擔
通過元器件內部優化， 實現了ON/OFF順暢切換的軟開關。 由此， 開關時產生的電壓過沖與普通產品相比減少了50％， 可減少用來抑制過沖的外置柵極電阻和緩衝電路等部件數量。 使用IGBT時， 應用端不再需要以往需要的過沖對策， 有利於減輕設計負擔。
＜產品陣容＞
產品陣容又新增了以“短路耐受能力保持2μs”為特點的RGTV系列和以“高速開關性能”為特點的RGW系列，能夠支援更廣泛的應用。
RGTV系列（短路耐受能力保持版）
RGW系列（高速開關版）
＜應用＞
工業設備（UPS（不斷電供應系統）、焊接機、功率控制板等）、空調、IH（感應加熱） 等
＜術語解說＞
※1 導通損耗
MOSFET和IGBT等電晶體因元器件結構的緣故，在電流流動時發生電壓下降。
導通損耗是因這種元器件的電壓下降而產生的損耗。
※2 IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極電晶體）
MOSFET的高速開關特性和雙極電晶體的低傳導損耗特性兼備的功率電晶體。
※3 短路耐受能力
對引起元器件損壞的短路（電子電路的2點用低阻值的電阻器連接）
的耐受能力。
※4 電壓過沖
開關ON/OFF時產生超出規定電壓值的電壓。
電壓值因過沖而暫時超出穩態值，之後返回到接近穩態值。
＜產品陣容＞
產品陣容又新增了以“短路耐受能力保持2μs”為特點的RGTV系列和以“高速開關性能”為特點的RGW系列，能夠支援更廣泛的應用。
RGTV系列（短路耐受能力保持版）
RGW系列（高速開關版）
＜應用＞
工業設備（UPS（不斷電供應系統）、焊接機、功率控制板等）、空調、IH（感應加熱） 等
＜術語解說＞
※1 導通損耗
MOSFET和IGBT等電晶體因元器件結構的緣故，在電流流動時發生電壓下降。
導通損耗是因這種元器件的電壓下降而產生的損耗。
※2 IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極電晶體）
MOSFET的高速開關特性和雙極電晶體的低傳導損耗特性兼備的功率電晶體。
※3 短路耐受能力
對引起元器件損壞的短路（電子電路的2點用低阻值的電阻器連接）
的耐受能力。
※4 電壓過沖
開關ON/OFF時產生超出規定電壓值的電壓。
電壓值因過沖而暫時超出穩態值，之後返回到接近穩態值。