據人民日報報導， 專家稱， 中國在高端光電子器件部分關鍵技術研發取得突破：“這些研發項目有很多都是前瞻佈局的， 中興通訊此次受到限制的所有晶片， 在十二五和十三五國家研究計畫中， 都有相應的部署。 ”
4月16日， 美國商務部公佈， 由於中興通訊違反和解協定並作出虛假陳述， 將禁止美國企業與公司進行交易長達7年。 中興通訊董事長殷一民表示， 美國對中興實施的禁令， 或將導致公司進入休克狀態。
（視覺中國）
據《人民日報》報導， 十三五國家重點研發計畫“光電子與微電子器件及集成”重點專項專家組組長、中科院半導體所副所長祝甯華表示， 中國近年來不間斷地支持光電子領域的科技創新， 投入大量資金引導大專院校、科研院所和企業， 鑽研對光電子晶片和模組的關鍵技術：“當前我國已掌握中低端光電子器件關鍵技術， 具備生產能力，
通過國家引導、地方和企業的參與
祝甯華說， 在光傳輸和交換設備中， 光器件要占百分之六七十的成本比重， 當前中國無論在技術積累還是資金投入， 以及高端核心人才的培養和儲備， 都具備一定基礎條件：“只要國家選定面向未來資訊網路急需的1—2類核心關鍵光電子晶片， 集中資源， 從設計、研發、器件製備到封裝測試進行綜合佈局， 同時通過國家引導、地方和企業的參與， 構建完善的光電子晶片加工工藝平臺， 相信高端晶片研發的短板能夠在5年內得到緩解。
相關研發專案已持續10年
據知， 中國於2008年實施國家科技重大專案：“極大型積體電路製造裝備及成套工藝”， 官方稱經十年發展， 相關工藝水準提升了5代， 成功研發並實現量產55、40 、28納米三代成套工藝， 於22、14納米先導技術研發取得突破， 並已研製成功14納米刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品， 性能達到國際先進水準。