據《湖北日報》4月12日報導， 我國擁有完全自主智慧財產權的三維NAND快閃記憶體晶片， 即將由中國紫光集團旗下的長江存儲科技公司於今年年底在中國光穀實現量產。 這是我國在三維NAND快閃記憶體晶片自主研發生產方面實現的零突破。
我國是製造與消費電子產品的大國， 在通用儲存器方面的需求量， 甚至占到了全球的一半。 但由於我國在半導體領域的技術尚不成熟， 多個方面都還處於追趕者位置， 使得我國每年需要花費2000億美元左右去進口半導體晶片。
2015年5月19日， 國務院正式印發《中國製造2025》。 到目前為止， 在這三年裡， 我國不斷通過政策扶持、人才引進、高校與企業相結合等方式， 大力推進我國在半導體領域的技術發展。 政策層面， 國家在不斷推動行業發展， 希望企業能夠突破技術瓶頸， 促進轉型升級。 高校與企業相結合， 讓高校裡的高素質人才和先進技術理念能得到更多的資金支持， 進而能將科技轉化成新的優質產品。 人才引進是能解決我國半導體從業人員缺乏、管理能力落後的重要手段。 中國半導體行業比日本、韓國要晚的多， 從這兩國引進優秀的從業人員， 可以對半導體行業起到不錯的推進作用。
隨著我國在半導體領域砸下數千億美元的投資， 日本該領域內頂尖人才早已聞風而動。 在日本， 工程師的地位並不高， 這為日本頂級人才來華創造了客觀條件。 並且東芝半導體收購案的爆發， 整個日本半導體行業為之震動，
16日， 美國商務部宣佈， 全面禁止美國企業向中興銷售元器件。 這一禁令讓重要元器件嚴重依賴進口的中興十分難受， 但它也會激起我國在半導體領域持續發展， 力爭追上世界領先水準的決心。 越是西方封鎖的技術， 我國就發展的越好， 這一事實在航空航太、軍工等領域已經被多次證實。 相信我國半導體領域也會在不遠的未來走在世界的前列， 奪得該領域的主導權。
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