敦本務實 華力微電子展示先進的特色工藝技術實力

全球規模最大、規格最高的半導體產業年度盛會SEMICON China 昨（16）日圓滿落幕， 受近來的投資和建廠熱潮影響， 中國半導體產業發展備受關注， 吸引了眾多國內外半導體菁英前來參展交流。 作為中國大陸領先的12英寸晶片製造企業， 上海華力微電子在此次展會上展示其研發成果， 以及未來發展規劃。

本次展會觀眾詢問度最高的話題即是華力二期規劃。 華力12英寸先進工藝生產線建設項目甫於去年年底正式開工， 該項目是國家積體電路產業生產力佈局的重點晶片生產線， 也是上海“十三五”期間的重大產業專案。

專案建設完成後月產能將達4萬片， 工藝技術涵蓋28-14納米。

除了積極開發先進工藝技術之外， 華力在特色工藝技術上的佈局也是本次展出的一大亮點， 力求在務實的基礎上， 穩建發展持續創新。 華力基於自主研發的55納米低功耗邏輯工藝平臺的基礎上， 推出多個先進的特色工藝技術平臺， 包括55納米圖像感測器工藝、55納米高壓工藝、55納米超低功耗工藝、55納米射頻工藝和55納米嵌入式快閃記憶體工藝平臺， 具有中國大陸第一或業界領先的地位， 充分展示其先進的特色工藝技術實力， 結合當前雙鏡頭、物聯網等市場應用熱點， 華力重點展示以下工藝技術成果。

55納米圖像感測器工藝——中國大陸最領先的圖像感測器工藝

華力的55納米圖像感測器工藝，

是中國大陸最先進的圖像感測器工藝平臺， 也是中國本土唯一利用12寸55納米工藝節點進行高端圖像感測器晶片製造， 並最早進入大規模量產的晶圓代工廠。 該工藝特點包括：採用背照式（BSI）制程， 增加了圖元單元的填充因數， 提高了光電轉換效率， BSI制程結合微透鏡技術填充因數接近100%；圖元尺寸縮小到1.0微米， 有效縮小整個晶片的尺寸；1300萬以上高圖元產品採用了超薄堆疊式（UTS）技術， 有效節省了晶片的面積；並增加新的前沿技術， 如全圖元快速對焦平臺， 3D器件等。 受惠於雙鏡頭的市場需求， 華力的影像處理器晶片出貨將持續穩定的增長。

55納米高壓工藝——本土首家提供55納米高壓工藝平臺的晶圓代工廠

全球智慧型手機市場吹起全屏設計風潮，

讓觸控和顯示驅動二合一晶片（TDDI）的需求明顯爆發， IHS預估到2022年， 全球TDDI數量規模將達6.54億顆， 年複合成長率3.4%。 幾年前華力已預見此市場應用前景， 致力於開發55納米高壓工藝， 成為本土首家提供55納米高壓工藝平臺的晶圓代工廠， 該工藝平臺提供業界相容的6V中壓器件和32V高壓器件， 具有低成本及低功耗的優勢， 目前該工藝平臺已十分成熟， OTP IP也已完成驗證。

55納米超低功耗工藝——業界領先的55納米超低功耗工藝平臺

針對日益興起的物聯網市場， 華力定制開發55納米超低功耗工藝平臺， 工藝特點包括：沿用通用型55納米低功耗工藝平臺的設計規格；平臺工藝的漏電性能顯著優化，

為通用型55納米低功耗工藝平臺的70%；提供eHVT和eLVT核心器件， 以滿足聯網應用需求；支援核心工作電壓最低調降至0.9V。 該工藝技術已成功量產， 未來將結合射頻工藝以及嵌入式快閃記憶體工藝， 提供客戶完整的穿戴式晶片方案。

展會現場交流熱絡， SEMICON展會同期舉辦的多場專業論壇也同樣人氣爆棚。 華力微電子總裁雷海波在“做大做強中國積體電路產業鏈”論壇上， 同與會嘉賓交流分享其個人觀點。 雷海波先生以務實的觀點指出， 中國半導體產業“大而不強、大而不優”的問題， 並提出要在四個方面的基礎上做大做強， 首先是集中投資， 而且是可持續的高強度投資， 其次是基礎核心的研發投入， 第三是更為主動的國際合作， 第四是引進境外人才之外，

更需重視本土人才的培養。

全球半導體製造重心逐建向中國轉移， 中國半導體產業正迎來新一輪的發展契機， 正如SEMI中國區總裁居龍先生在開幕致詞分享的第一個關鍵字“實”所言， 2017年是中國半導體行業幹實事之年， 華力微電子將秉持敦本務實的精神， 為更多國內外晶片客戶服務， 為中國半導體成長作貢獻。