隨著大陸半導體業者在2016年宣佈將要興建， 或正在興建中的新晶圓廠設備計畫數已達20餘處， 預計2018年當地晶圓設備支出將會超過100億美元， 並且2019與2020年此一支出還會繼續揚升， 使大陸地區躍升為全球最大的晶圓設備市場。
半導體產業資訊業者Semiconductor Advisors LLC分析師Robert Maire表示， 大陸地區晶圓設備支出， 很可能即將超越臺灣與韓國， 不但會躍居為全球第一線半導體生產要地， 也很可能會創下單一地區最高支出新紀錄。
也因著大陸新建晶圓廠的增加， 從而為半導體設備、材料、服務， 以及關鍵系統等供應商提供了重要市場機會。
根據國際半導體設備材料產業協會（SEMI）先前公佈資料， 近年大陸地區半導體設備銷售額， 以及在全球總銷售額中的占比均持續上揚。 以2016年為例， 大陸半導體設備銷售額已占全球16.88%， 僅次於臺灣的28.34%， 以及韓國的17.99%。
2017年大陸地區投資金額水漲船高
SEMI表示， 2017年將會是大陸地區晶圓設備支出組成的分水領。 在2017年之前， 大陸晶圓設備支出所需資金大多來自如三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）與英特爾（Intel）等海外跨國業者。
然而約由2017年起， 這些跨國業者， 再加上如台積電、聯電和GlobalFoundries等， 雖然仍然繼續會在大陸投資， 但由大陸業者而來的投資金額也會越來越多， 並且逐漸成為設備支出成長的主要驅動力。
預估2018年大陸業者投資金額， 將約占當地總支出金額的半數；2019與2020年大陸業者投資則會占總支出半數以上。
投資多集中在記憶體和晶圓代工設備
SEMI表示， 在大陸將要興建， 或正在興建中的20餘處新晶圓廠設備中， 有16處為12吋（300mm）晶圓設施。 而在12吋晶圓設施中， 又以記憶體和晶圓代工設施數量為最多。
此外預計由2017年起， 晶圓代工設施將會成為大陸地區晶圓設備支出最主要部分， 並且此一趨勢會一直延續到2020年。
在新建記憶體晶圓設施部分， 除韓國三星計畫在大陸西安進行3D NAND Flash第二階段擴廠外， 大陸業者長江存儲/武漢新芯、紫光集團、福建晉華， 以及兆易創新等也正在或計畫在南京、武漢、福建與合肥等地興建DRAM或NAND Flash記憶體廠。
NAND Flash仍具機會 DRAM面臨挑戰
不過SEMI表示， 就現有技術與人力資源而言，
然而在DRAM方面， 由於該市場成長已經放緩， 進一步技術發展也越來越困難， 再加上目前市場上已有不少經營許久的業者， 預計大陸DRAM業者可能會面臨重大挑戰。
晶圓代工成長勢頭不減
再就晶圓代工而言， 目前大陸中芯國際（SMIC）和華虹集團（HuaHong Group）等已經成為全球知名晶圓代工業者。 這些業者進一步的擴廠計畫， 將會涵蓋現有成熟與尖端制程兩大部分。
如中芯國際在上海興建採用14納米先進制程的晶圓代工廠， 並在深圳設立採用65/90納米制程的12吋晶圓代工廠。
除大陸業者外， 台積電也正在南京興建全資16納米代工廠， 聯電與力晶則是與大陸業者合作， 分別在廈門與合肥興建晶圓代工廠。
雖然就長期而言， 全球晶圓代工市場供過於求的隱憂仍然存在， 但隨著大陸半導體市場與當地半導體設計產業的快速成長， 大陸與海外晶圓代工業者仍能在大陸市場看到巨大機會。
大陸IC設計業產值高漲
根據中國半導體行業協會（CSIA）最新公佈資料， 2016全年大陸IC產業銷售額為人民幣4， 335.5億元（約合630.5億美元）， 年增20.1%。 其中， IC設計業銷售額為人民幣1， 644.3億元，
雖然大陸IC產業總產值仍遜於臺灣， 但IC設計業產值已高於臺灣。 據悉， 臺灣地區2016全年整體IC產業產值為新臺幣2.45兆元（約合758億美元）， 年增8.2%。 其中IC設計業產值為新臺幣6， 531億元， 年增10.2%。