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傳三星將斥資10億美元投資美奧斯丁廠

三星電子不只備戰6納米, 還打算在2020年進入4納米?韓國消息稱, 三星砸下10億美元投資美國德州奧斯丁廠, 替制程微縮備戰。

韓媒The Investor 27日報導, 本月三星電子將斥資10億美元投資德州奧斯丁廠, 該廠房負責制造用於移動設備的系統單晶片(SoC)等。 PhoneArena消息顯示, 奧斯丁廠是蘋果A系列處理器的重要生產基地。

三星同時公佈了晶圓代工的發展路徑, 當前主力為第二代10納米Fin FET, 今年準備進一步研發8納米, 2018年進入7納米, 2020年轉入4納米。 三星認為第四波工業革命即將到來, 屆時物聯網應用將遍地開花, 高效能晶片需求倍增, 因此提前做好準備。

在此之前已有消息稱, 三星將跳級研發6納米制程, 預定2019年量產。

據傳台積電7納米微縮制程大幅超前三星電子, 成功奪走高通7納米處理器大單。 韓國消息稱, 三星恨得牙癢癢, 打算直攻6納米制程扳回一城。

韓媒etnews 27日報導, 台積電花最少精力研發10納米, 跳級直取7納米的策略奏效, 搶走三星的高通訂單。 三星心有不甘, 打算從10納米, 直攻6納米制程, 目標2019年量產。 據傳三星晶圓代工部門心知無力挽回轉單, 重心放在6納米, 今年將裝設兩台艾司摩爾(ASML)極紫外光(EUV)微影設備“NXE3400B”, 明年還會裝設7台。

韓媒Investor引述etnews報導, 業界人士表示, 儘管三星晶圓代工部門痛失高通訂單, 但是由於台積7納米制程更省電、表現更好, 三星移動通訊部門應該會使用次代高通處理器。

由此看來, 明年Galaxy S9旗艦機也許會和今年的S8一樣, 繼續並用高通晶片和三星自家的Exynos處理器。

MoneyDJ新聞5月10日報導, 據瞭解, 台積電10納米制程今年已成功量產, 7納米於今年初完成技術驗證, 第二季進入試產階段, 預計明(2018)年進入量產;後(2019)年則預計推出採用部分EUV制程的7+納米並導入量產, 至於5納米目前已開始進行研發, 預計2019年上半年可進入試產。

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