平安證券——電子行業週報：3D NAND產能逐步釋放，手機晶片市場競爭激烈

3D NAND產能逐步釋放,2020年中國有望趕上國際:三星電子本周宣佈,位元在首爾南方的新晶片廠施工進度順利,將如期於2017 上半年投產。 據三星表示,新晶片廠主要用於生產高容量3D NAND快閃記憶體,新廠第一階段施工目前已完成九成。 由於2D NAND Flash在技術推進上已遇發展瓶頸,上游原廠全力調撥產能轉進3DNAND。 東芝上個月宣佈BiCS FLASH 3D快閃記憶體試樣出貨,SK海力士於近日透露正在積極推進72層3D NAND技術的發展,美光第二代3D NAND也于去年底順利送樣。 一直以來,NAND快閃記憶體晶片被三星、東芝、SK海力士、美光等少數公司壟斷,中國公司在此領域話語權較弱。

去年,紫光公司主導的長江存儲科技公司投資240億美元建設12寸晶圓廠,直接切入3D NAND快閃記憶體市場。 長江存儲3D NAND晶圓廠的安裝設備將在2018年第一季度完工,2019年全速量產,預計2020年會在技術方面趕上國際領先的快閃記憶體公司。

高通驍龍835亞洲首亮相,手機晶片市場競爭激烈:高通近日在北京舉行了驍龍835晶片的亞洲首場發佈會。 驍龍835是高通首次採用10納米FinFET工藝節點的產品,其體積更小,封裝尺寸減少35%左右;功耗更低,降低了25%;而在能效方面更為出色,CPU和GPU性能提升25%至27%。 值得注意的是,驍龍835的命名由“處理器”變更為“平臺”,集成了LTE、CPU、GPU、DSP等技術和組件,支援千兆級LTE網路,覆蓋了筆記型電腦、智慧手機、平板電腦、VR等多重應用領域。 除驍龍835以外,2017年先後還會有4顆10納米制程的晶片問世,分別是聯發科Helio X30、海思的Kirin 970、蘋果用於iPad的A10X、以及三星的Exynos 8895。

此外,展訊去年推出的14納米八核64位元LTE晶片平臺SC9861G-IA,瞄準中端市場,小米也推出28nm澎湃S1晶片,主要針對入門級智慧手機市場。 根據Strategy Analytics資料顯示,高通2014年市占率為52%,2016上半年已降至39%。

上周電子板塊表現回顧:本周大盤微幅上行,滬深300指數上漲1.27%。 其中,申萬電子指數上漲2.47%,跑贏滬深300指數1.20個百分點;中信電子元器件指數上漲2.81%,跑贏滬深300指數1.54個百分點。

一周行業重點回顧:深度報告*鴻利智匯*LED量價齊升,車聯網雛形初現*強烈推薦;年報點評*華東科技*平板專案營收增長,轉型初現成效*推薦;事項點評*鴻利智匯*完成員工持股,長期價值凸顯*強烈推薦。

投資組合表現:17年年初以來投資組合累計投資盈利3.57%,跑輸滬深300指數1.85個百分點,跑輸申萬電子元器件指數4.59個百分點,跑輸中信電子元器件指數5.85個百分點。

風險提示:技術風險,行業競爭加劇風險,企業新業務開拓風險。