抗雜訊性能卓越的可控矽交流開關：ACT/ACTT

可控矽在斷態時的誤觸發是在實際應用中讓廣大用戶苦惱的問題， 超出最大斷開電壓變化率dVD/dt 和超出截止狀態下反復電壓峰值VDRM 是實際應用中造成可控矽誤觸發的主要原因之一。 日常使用中， 因為市電中的雜訊影響， 尤其是在電器開關的過程中， 常常會發生很短時間過壓的現象， 造成可控矽的誤觸發導致器件損壞。

瑞能半導體， 作為可控矽器件的領導廠商， 一直致力於開發出性能更卓越， 更加可靠的產品。 基於其先進的平面工藝， 推出了一系列帶鉗位元電壓功能的雙向可控矽產品：

•AC Thyristors (ACT)

•AC Thyristor Triacs (ACTT)

ACT 和ACTT能夠在交流回路中存在過壓雜訊的情況下，

將電壓鉗位於其能夠承受的範圍以內， 雜訊的能量將會轉化為熱量耗散掉， 使其不會因為過壓而導致誤觸發。

ACT/ACTT 作為抗雜訊性能卓越的交流開關， 部分產品在150℃下達到了1000V/μs 的業界最高的dVD/dt能力， 大大增強了整個系統的抗雜訊能力。

此外該系列產品通過了IEC61000-4-5 雷擊浪湧測試， 正反向能夠承受2000V-2500V的尖峰電壓。

瑞能半導體擁有豐富的ACT/ACTT的系列， 產品覆蓋電流IT(RMS)從0.2A-16A, 電壓VDRM600V-800V， 以及多種的封裝形式， 並且大部分的產品達到Tj(max)150℃的高結溫要求， 能夠給客戶提供多種選擇。

瑞能半導體正在持續開發更多的ACT/ACTT系列產品，

最新推出的ACTT2W-800ETN, 是第一顆SOT223 封裝， ITRMS2A, 150度結溫, 並且帶鉗位元電壓功能的雙向可控矽， 出色的動態性能和浪湧能力， 以及小尺寸的封裝能給工程師帶來最好的設計選擇。 與此同時， 瑞能半導體還將攜同系列產品及應用亮相今年10月在上海新國際博覽中心舉行的IC China展會， 歡迎合作客戶及業界同仁屆時前去參觀交流！