安卓中國2017年3月14日消息， 去年， 高通發佈新旗艦處理器驍龍835， 隨後又在今年初的CES大展上公佈了它的技術細節。 現如今， 驍龍835終於要在國內正式亮相了。
高通今天宣佈， 將於3月22日下午在北京召開驍龍835亞洲首秀活動， 屆時將詳細介紹驍龍835的一些技術細節， 據說還有會跑分展示， 令人非常期待。
驍龍835採用10nm工藝打造， 集成了八顆高通自主研發的Kryo 280處理器核心， 四顆大核心頻率為2.45GHz， 四核小核心頻率則是1.9GHz；內置的GPU為Adreno 540， DSP省級到Hexagon 682。
此外， 驍龍835還整合了X16 LTE基帶， 這讓它成為了全球首款下行速率達到千兆級別的SoC。 同時， 驍龍835還支持QC 4.0快速充電， 相比QC 3.0來說效率可提升30%， 速度能夠提升20%， 而且發熱量更低。 通過10nm工藝加持， 高通表示驍龍835的核心面積減少了35%， 而且功耗相比驍龍821降低25%。
三星Galaxy S8、小米6等旗艦機均已確定會搭載驍龍835處理器， 前者本月底會正式發佈， 後者的發佈時間最遲應該是4月份。
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