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盤點國家大基金一期成果,二期下一步動作在哪?

國家隊大基金逾千億砸向這一板塊! 未來的“三星”可能在這些上市公司中誕生!

自2014年9月成立至今, 在不到4年的時間裡, 國家積體電路產業投資基金建設兩條12寸90~65nm的特色工藝晶片生產線。 2、先進化合物半導體項目, 公司與廈門半導體投資集團擬共同投資50億元, 在廈門(海滄)建設4/6寸相容先進化合物半導體器件生產線。

點評:本協議的簽定, 有利於公司加快在半導體產業鏈的佈局, 有利於公司進一步發揮設計製造一體模式在特色工藝晶片生產線和先進化合物半導體器件生產線的技術、市場、人才、運營等方面的優勢,

為士蘭微的長遠發展奠定堅實的基礎。

12寸產線項目:公司共規劃了兩條產線, 第一條產線總投資70億元, 工藝線寬90nm, 達產規模8萬片/月;分兩期實施, 一期總投資50億元, 公司以貨幣出資3億, 實現月產能4萬片。 第二條產線初步概算總投資100億元, 工藝線寬為65nm-90nm。 這兩條產線的主要產品為MEMS、功率器件。

該產線的投產標誌著公司的分立器件制程工藝已經達到了國際一流水準。 國內此前僅有一條12寸的分立器件產線, 為AOS(美國萬國半導體)於2017年7月在重慶設廠, 項目總投資10億美元, 7萬片/月產能。 從投入產出比來看, 士蘭微相比萬國半導體更具優勢。

化合物半導體項目:該項目分兩期實施, 其中一期項目投資20億元人民幣, 公司以貨幣出資2.4億;二期投資30億元人民幣。

具體產能未知。 主要產品包括下一代光通訊模組晶片、5G與射頻相關模組、高端 LED 晶片等。

通過下游應用可以判斷出, 公司該產線主要是GaN工藝(下一代光通信模組以及5G基站等視頻模組會採用GaN on Silicon的方案;而主流的藍綠光LED晶片採用藍寶石襯底, 生長GaN外延)。 參考此前三安光電定增的化合物半導體專案, 專案總投資30億, 建年產30 萬片GaAs和年產6萬片GaN 的6寸生產線。 可以初步推算出公司本次投資的產能約為60萬片/年。

廈門成為中國半導體產業重鎮, 產業鏈配套優勢凸顯:目前廈門已投產的半導體專案有聯芯12寸晶圓廠, 集順6寸晶圓廠, 三安集成6寸GaN及GaAs產線;興建中的項目有通富微電封測廠。 而本此士蘭微的12寸產線及化合物半導體產線項目的實施,

將進一步加強廈門市的產業鏈集群配套效果。 看好未來各公司之間的協同效應。

三安光電:LED晶片龍頭 發力新興增長極

LED下游需求旺盛, 晶片降價節奏可控。 LED主要下游應用包括照明、背光和顯示等領域, 其中LED照明市場規模增長尤其迅速。 預計2017年中國LED市場規模超過5000億元, 未來三年LED下游市場複合增速超過25%。 其中通用照明、汽車照明和顯示背光將是LED應用中增長最快速的領域。 三安光電通過增資安瑞光電佈局汽車LED照明領域。 相較于傳統鹵素燈和疝氣燈, LED車燈具有節能、長壽、抗震、體積小、回應快等優勢, 未來隨著LED成本降低和能效提升, 市場滲透率有望持續上升。

市場集中度提高, 龍頭優勢顯現。

公司持續增加MOCVD設備, 預計年底達到450台MOCVD規模, 規模優勢有利於議價能力得到進一步增強。 相較于同行, 公司盈利能力優勢顯著, 毛利率持續維持在40%以上, 高毛利率來源於全產業鏈佈局帶來的成本優勢和強大的議價能力。 公司通過核心光電業務向外延拓展, 打造了可長期持續發展的全產業鏈戰略部局。

發力化合物半導體, 新興增長順應5G大趨勢。 國外IDM廠商較早佈局了GaAs材料, 而國內IDM廠商中僅有三安光電等少數廠家佈局了GaAs材料。 公司建成先進的6寸GaAs、GaN生產線, 佈局5G時代化合物半導體材料, 目前樣品已經向多家廠商提交樣品。 在5G推動射頻器件更新換代的背景下, 公司將有望迎來新的增長點。

政府資金重點扶持,

國家隊身份確立。 國家大基金在前期就以48.4億通過大宗認購公司9.07%股份, 之後再次出資25億美元與三安合資III-V族化合物積體電路發展專項基金。 同時國開行還提供200億元低息貸款支援, 資金主要支援三安集團和三安光電或其關聯企業開展境內外並購、新技術研發和新建、擴建生產線等業務, 為公司的持續發展和擴張提供充足動力保障。 來源:證券市場紅週刊

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