集微網 文/張軼群
2018年， 對於紫光以及中國存儲產業而言， 是一個關鍵時點。
作為“扛旗者”， 經歷兩年的運作佈局， 紫光在存儲領域的IDM雛形初現， 為其“從芯到雲”戰略提供有效支撐。 而中國首顆自研32層3D NAND快閃記憶體晶片的問世及量產能力的突破， 也為中國存儲產業發展點亮希望之光。
佈局：順勢而為打造垂直產業鏈條
5年前， 紫光通過大舉並購的方式切入積體電路領域， 掀起不小波瀾。
在兩年的時間裡， 紫光相繼將展訊、銳迪科、新華三等行業龍頭收入囊中。 在實現了對移動通信、物聯網、大資料雲計算等業務板塊的整合後，
發展存儲， 一方面是推動紫光自身業務板塊有效整合的要求， 是紫光“從芯到雲”戰略中的重要一環， 另一方面也迎合了國家對大力發展積體電路產業， 特別是重點發展存儲產業的戰略需要。
對於產業發展而言， 並購是一條捷徑。 通過資本運作， 與世界領先企業處於同一起跑線， 再組織力量衝鋒， 是獲得成功的一種方式。 聯想收購IBM、TCL並購湯姆遜， 中國不乏這樣的成功案例。
然而紫光在存儲領域的佈局， 遠沒有像收購展訊、銳迪科、新華三那樣輕鬆。 這個領域長期被三星、海力士、美光等韓美企業把持， 在寡頭壟斷的行業格局下， 對技術、人才的封鎖， 商業政策的限制， 特別是對於中國大陸企業崛起的忌憚， 成為中國發展存儲產業道路上的重重關卡。
2015年下半年， 紫光向美光要約、入股西部數據， 入股南茂、矽品、力成三大臺灣封測企業， 一次次衝鋒， 卻一次次折戟在商業禁令之前。
儘管2015年的境外並購入股策略並沒有取得理想效果，
“豎起招軍旗， 自有吃糧人。 ”紫光集團董事長趙偉國如是說。
如果說2015年紫光在存儲領域“作勢”， 那麼在2016年之後， 紫光則是“做實”， 通過策略調整， 以成立合資公司或入股境外企業在大陸的子公司等方式同境外企業展開合作， 同時大力加強自主創新研發， 積累技術實力。
2016年9月， 紫光同西部資料成立合資公司， 佈局大資料存儲；11月， 紫光控股封測龍頭臺灣南茂在上海的孫公司上海宏茂微電子公司，
同時， 紫光從南亞科重磅挖角臺灣“DRAM教父”高啟全， 相繼在武漢、南京、成都投入鉅資規劃大規模存儲與晶片製造工廠， 主攻主流快閃記憶體工藝3D NAND的研發， 開始在存儲產業最為重要的製造端發力。
DRAM教父高啟
2017年底， 紫光入股臺灣光寶蘇州子公司蘇州光建， 實現SSD產品銷售、市場端的佈局。
至此， 通過兩年不懈努力， 紫光終於在存儲產業圍繞3D NAND， 打造出包括研發設計、生產製造、封裝測試和產品銷售在內較為完整的產業鏈條。
儘管以目前紫光在存儲產業鏈的控制能力， 還無法實現同三星、美光的完全對標， 但在產業鏈的關鍵的環節紫光沒有失位。 紫光計畫用十年的時間沖進全球存儲領域的前五， 未來任重道遠。
“紫光既是產業集團， 也是投資集團。 有些產業我們自己控制， 有些產業通過投資來分享成果， 我們不會像三星打造那麼緊密的整合。 ”趙偉國說。
業內人士分析指出， 對於產業鏈的控制或投資， 紫光的邏輯是合理充分利用現有資源， 發揮自身優勢的最大化，圍繞國家戰略的主軸，從而更好地支援中國存儲產業的發展。
據集微網記者瞭解，目前紫光的武漢存儲晶片工廠福建晉華（利基型DRAM）、合肥長鑫（移動式DRAM）三大陣營。在今年下半年，三大廠商的晶片產品都將集中實現量產。
“3D NAND的研發和三大製造基地的建設，將是2018年紫光存儲的重點工作。2018年顯然是中國存儲晶片產業的轉折之年，我們將向市場提供國產的3D NAND快閃記憶體晶片產品，這是零的突破。”趙偉國說。
業內人士指出，未來的3-5年，中國積體電路產業發展將迎來視窗期，中國存儲能否成功，這一時段極為重要。特別是強化IP的佈局，中國政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力，以及具國際水準的產能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球並佔有一席之地。
“具備量產能力後，還要做到製造端技術達標，良率保證。能夠獲得中下游廠商的認可、保證訂單份額，是今年量產後擺在中國存儲廠商面前的現實問題。”上述業內人士說。
同時，在存儲領域長期被美韓企業壟斷的局面下，中國存儲軍團在2018年的集中崛起無疑會受到更多“關注”，初期不可避免會陷入專利戰的困擾。去年底，美光已經開始策略性地針對福建晉華的DRAM技術發起訴訟。
此外，在存儲市場，經歷了1年多的價格飛漲後，2018年將會迎來供需平衡的階段，但競爭對手還在不斷加碼，提升相關產能。英特爾擴建大連廠二期，目標在2018年增加一倍3D NAND快閃記憶體產能，三星西安二期工廠也將擴建，海力士則在無錫啟動第二工廠建設。
這可能帶來的一個結果是，巨頭將會採用價格戰等惡意手段對中國企業進行打壓。而國內大連、西安、無錫等外資工廠也會分流極度稀缺的高端技術人才，人才招募也將是中國存儲企業面臨的挑戰。
回顧這兩年在存儲領域的開拓，趙偉國坦言，選擇3D NAND作為中國存儲晶片產業突破方向正確。“技術雖然很難，但並沒有難到不可逾越的地步，主要是投資門檻比較高。”趙偉國說。
按照計畫，紫光未來十年至少將投資1000億美元，面對如此龐大的投資，紫光要承受巨大的資金壓力。在資金來源方面，除獲得國家大基金、國家開發銀行、中國進出口銀行等金融機構支援外，紫光也在多方位籌措資金，包括設立各種基金，與地方政府聯合投資，在資本層面展開合作。
據趙偉國透露，為了實現紫光10年在存儲晶片產業投資1000億美元的戰略目標，確保中國存儲晶片戰略的有效實施，紫光希望借鑒國家組建大飛機公司和發動機公司的模式，籌畫發起設立中國積體電路股份有限公司（工商暫定名：國芯積體電路股份有限公司，註冊資本1000億元；簡稱國芯股份），其中紫光集團出資200億元人民幣，社會籌集入股資金800億元人民幣，目前正在募集股東階段，如果進展順利，計畫將於2018年6月完成組建。（校對/范蓉）
發揮自身優勢的最大化，圍繞國家戰略的主軸，從而更好地支援中國存儲產業的發展。據集微網記者瞭解，目前紫光的武漢存儲晶片工廠福建晉華（利基型DRAM）、合肥長鑫（移動式DRAM）三大陣營。在今年下半年，三大廠商的晶片產品都將集中實現量產。
“3D NAND的研發和三大製造基地的建設，將是2018年紫光存儲的重點工作。2018年顯然是中國存儲晶片產業的轉折之年，我們將向市場提供國產的3D NAND快閃記憶體晶片產品，這是零的突破。”趙偉國說。
業內人士指出，未來的3-5年，中國積體電路產業發展將迎來視窗期，中國存儲能否成功，這一時段極為重要。特別是強化IP的佈局，中國政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力，以及具國際水準的產能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球並佔有一席之地。
“具備量產能力後，還要做到製造端技術達標，良率保證。能夠獲得中下游廠商的認可、保證訂單份額，是今年量產後擺在中國存儲廠商面前的現實問題。”上述業內人士說。
同時，在存儲領域長期被美韓企業壟斷的局面下，中國存儲軍團在2018年的集中崛起無疑會受到更多“關注”，初期不可避免會陷入專利戰的困擾。去年底，美光已經開始策略性地針對福建晉華的DRAM技術發起訴訟。
此外，在存儲市場，經歷了1年多的價格飛漲後，2018年將會迎來供需平衡的階段，但競爭對手還在不斷加碼，提升相關產能。英特爾擴建大連廠二期，目標在2018年增加一倍3D NAND快閃記憶體產能，三星西安二期工廠也將擴建，海力士則在無錫啟動第二工廠建設。
這可能帶來的一個結果是，巨頭將會採用價格戰等惡意手段對中國企業進行打壓。而國內大連、西安、無錫等外資工廠也會分流極度稀缺的高端技術人才，人才招募也將是中國存儲企業面臨的挑戰。
回顧這兩年在存儲領域的開拓，趙偉國坦言，選擇3D NAND作為中國存儲晶片產業突破方向正確。“技術雖然很難，但並沒有難到不可逾越的地步，主要是投資門檻比較高。”趙偉國說。
按照計畫，紫光未來十年至少將投資1000億美元，面對如此龐大的投資，紫光要承受巨大的資金壓力。在資金來源方面，除獲得國家大基金、國家開發銀行、中國進出口銀行等金融機構支援外，紫光也在多方位籌措資金，包括設立各種基金，與地方政府聯合投資，在資本層面展開合作。
據趙偉國透露，為了實現紫光10年在存儲晶片產業投資1000億美元的戰略目標，確保中國存儲晶片戰略的有效實施，紫光希望借鑒國家組建大飛機公司和發動機公司的模式，籌畫發起設立中國積體電路股份有限公司（工商暫定名：國芯積體電路股份有限公司，註冊資本1000億元；簡稱國芯股份），其中紫光集團出資200億元人民幣，社會籌集入股資金800億元人民幣，目前正在募集股東階段，如果進展順利，計畫將於2018年6月完成組建。（校對/范蓉）