中國北京訊--(美國商業資訊)--宜普電源轉換公司（EPC）第五代氮化鎵（eGaN®）電晶體及積體電路系列榮獲《今日電子》/21IC中國電子網在2017年9月15日於北京頒發的2017年度“Top10電源產品—最佳應用獎”。
面向全新及目前由MOSFET支援的應用的第五代氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）及積體電路系列(EPC2045、EPC2046及EPC2047電晶體)的尺寸減半， 而性能卻顯著提升了三倍， 進一步擴大與日益老化的矽功率MOSFET器件的績效差距， 並且在降低成本方面實現質的飛躍。
多種應用受惠於EPC第五代技術， 包括100 V EPC2045應用於開放式伺服器架構以實現48 V至負載的單級電源轉換、負載點（POL）轉換器、雷射雷達、低電感馬達驅動器及USB-C。
EPC公司首席執行官兼共同創始人Alex Lidow說：“我們非常榮幸獲得業界著名雜誌《今日電子》與21IC中國電子網的專家評審組的支持和評審， 選出在現實生活中實現最佳應用的第五代eGaN FET及積體電路系列。 eGaN FET及積體電路已被證明可以支援無線充電、雷射雷達及DC/DC電源轉換等應用， 而且還可以應用於其它許多不同的領域。 是次獲得“最佳應用獎”印證eGaN技術能夠帶領業界提升電源轉換應用的效率。 ”
《今日電子》/21IC中國電子網的專家評審組對眾多參與廠商在2016年8月1日至2017年7月1日推出的技術/產品進行嚴格的評審。 評審提名產品的3個主要標準為創新設計、性價比及技術突破。
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商， 為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體， 其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、雷射雷達（LiDAR）及D類音訊放大器等應用， 器件性能比最好的矽功率MOSFET器件高出很多倍。 此外， 宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列， 為客戶提供進一步節省占板面積、節能及節省成本的解決方案。 詳情請訪問www.epc-co.com.cn 。